21世紀是納米科技時代，納米加工是納米科技的關鍵技術。納米通用圖形發生器是納米加工的重要裝備。它可以配備到掃描電子顯微鏡（SEM）、聚焦離子束系統(FIB)上，構建成納米加工設備，進行納米圖形加工和納米微結構制造。它適用于科研院所和高等院校的半導體、光電子、MEMS實驗室的100nm以下光刻工作。

設備技術指標

一．電子光學系統

1.1  烏燈絲發射電子束源的加速電壓可以達到30kv；

1.2  觀察分辨率 高真空模式3.0 nm (30 kV)  15.0 nm (1.0 kV)

1.3  低真空模式*1 4.0 nm (30 kV BED)

1.4  圖像倍率×5～×300,000（以128 mm × 96 mm作為顯示尺寸規定放大倍率）

  1.5  觀察分辨率 高真空模式3.0 nm (30 kV)  15.0 nm (1.0 kV)

  1.6  EDS   功能*2 譜圖分析、定性分析/定量分析、線分析（水平線分析、任意方向線分析）元素面分布、電子束追蹤等

二．樣品室

2.1最大樣品尺寸大型全對中式 X：125 mm　Y：100mm　Z：80 mm 傾斜：－10～90°　旋轉：360°

2.2圖像模式二次電子像、REF像、成份像*1、形貌像*1、陰影像*1等

2.3抽真空系統完全自動　TMP：1   臺、RP：1臺

三、EBL單元

    3.1  掃描頻率：≥10MHz；

3.2  用于X和Y方向電子束偏轉的兩套16位高速數模轉換和控制系統

3.3  12 位高性能，小溫漂的ADC圖形采集系統，信噪比高。

   3.4  可以接受多種外部數據格式，如GDSII、DXF、CIF等；

3.5  高精度的6個附加的16bit乘法DAC ，用于高精度的套刻對準、多層光刻，

     以及具備亞納米步距控制的寫場校準