電子束曝光系統 (EBL)
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21世紀是納米科技時代,納米加工是納米科技的關鍵技術。納米通用圖形發生器是納米加工的重要裝備。它可以配備到掃描電子顯微鏡(SEM)、聚焦離子束系統(FIB)上,構建成納米加工設備,進行納米圖形加工和納米微結構制造。它適用于科研院所和高等院校的半導體、光電子、MEMS實驗室的100nm以下光刻工作。
設備技術指標
一.電子光學系統
1.1 烏燈絲發射電子束源的加速電壓可以達到30kv;
1.2 觀察分辨率 高真空模式3.0 nm (30 kV) 15.0 nm (1.0 kV)
1.3 低真空模式*1 4.0 nm (30 kV BED)
1.4 圖像倍率×5~×300,000(以128 mm × 96 mm作為顯示尺寸規定放大倍率)
1.5 觀察分辨率 高真空模式3.0 nm (30 kV) 15.0 nm (1.0 kV)
1.6 EDS 功能*2 譜圖分析、定性分析/定量分析、線分析(水平線分析、任意方向線分析)元素面分布、電子束追蹤等
二.樣品室
2.1最大樣品尺寸大型全對中式 X:125 mm Y:100mm Z:80 mm 傾斜:-10~90° 旋轉:360°
2.2圖像模式二次電子像、REF像、成份像*1、形貌像*1、陰影像*1等
2.3抽真空系統完全自動 TMP:1 臺、RP:1臺
三、EBL單元
3.1 掃描頻率:≥10MHz;
3.2 用于X和Y方向電子束偏轉的兩套16位高速數模轉換和控制系統
3.3 12 位高性能,小溫漂的ADC圖形采集系統,信噪比高。
3.4 可以接受多種外部數據格式,如GDSII、DXF、CIF等;
3.5 高精度的6個附加的16bit乘法DAC ,用于高精度的套刻對準、多層光刻,
以及具備亞納米步距控制的寫場校準
