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針光刻系統（SPL）
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技術特點：
1場發射低能電子束
l 大幅降低電子束背底散射
l 幾乎消除電子束臨近效應
l 無需調制電子束聚光
l 10 nm 以下光刻精度
l 接近原子級分辨的套刻精度
l 線寫速度高達 300 μm/s
l 大氣環境下可實現正負光刻
l 正光刻流程無需顯影步驟
l 大范圍分步重復工藝
l Mix & Match 混合光刻模式
l 閉環系統：光刻成像同一針尖反復交替進行
l 多針尖并聯陣列提高效率
產品規格
光刻模式 | 正光刻、負光刻 |
工作環境 | 大氣、真空 |
最小線寬 | 5 nm （驗收指標） |
直寫速度 | 300 μm/s |
套刻精度 | < 7 nm |
拼接精度 | < 10 nm |
最大光刻區域 | 200 μm x 200 μm |
最大樣品尺寸 | 直徑：150 mm （6 英寸） |
占用空間 | 80 cm x 100 cm x 190 cm |
探針掃描頭配置
工作模式
頂部XYZ掃描頭
掃描范圍
（XYZ） 10 μm × 10 μm × 5 μm 可擴展至 200 μm × 200 μm
定位精度（XYZ）
0.01 nm；0.01 nm；0.01 nm
傳感器
壓阻閉環傳感
輸入/輸出頻道
3
樣品臺配置
工作模式
底部XY定位器
運動范圍（XY）
18 mm × 18 mm 可擴展 150 mm × 150 mm
最大運動速度
20 mm/s
運動精度
7 nm
運動重復性
80 nm （每運動100 μm）
AFM功能參數
樣品/探針接近
自動（無需激光對準）
探針調諧
自動
懸臂梁激發模式
雙材料熱機械激發
檢測原理
壓阻讀數
掃描模式
接觸式，非接觸式
探針移動范圍
20 mm × 20 mm × 10 mm
精度
< 10 nm
重復性
± 25 nm
AFM成像范圍
10 μm × 10 μm × 5 μm 可擴展至 200 μm × 200 μm
本底噪聲
0.01 nm rms 垂直方向
橫向精度
99.7% 閉環掃描
掃描速度
0.01 線/秒 至 10 線/秒
實時圖像顯示
二維、三維形貌,相位,頻移,振幅
電子配置
分辨率 振幅/相位
16-bit
反饋控制平臺
實時FPGA
帶寬
8 MHz
計算機接口
USB, 以太網可選
傳感器調節
0-4 V可編程電橋
軟件
實時修正
線, 面, 多項式
輪廓線測量
YES
粗糙度測量
YES
對比度/亮度/色彩調節
YES
3D 圖像
YES
線平均
YES
圖像輸出
bmp, png, jpg格式
原始數據輸出
txt格式
圖像后續處理軟件
Gwyddion, WSxM