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1、濕洗 (用各種試劑保持硅晶圓表面沒有雜質)
2、光刻 (光照射硅晶圓, 被照到的地方就會容易被洗掉, 沒被照到的地方就保持原樣. 于是就可以在硅晶圓上面刻出想要的圖案. 注意, 此時還沒有加入雜質, 依然是一個硅晶圓. )
3、 離子注入 (在硅晶圓不同的位置加入不同的雜質, 不同雜質根據濃度/位置的不同就組成了場效應管.)
4.1、干蝕刻 (之前用光刻出來的形狀有許多其實不是我們需要的，而是為了離子注入而蝕刻的。現在就要用等離子體把他們洗掉，或者是一些第一步光刻先不需要刻出來的結構，這一步進行蝕刻).
4.2、濕蝕刻 (進一步洗掉，但是用的是試劑， 所以叫濕蝕刻)—— 以上步驟完成后, 場效應管就已經被做出來啦，但是以上步驟一般都不止做一次, 很可能需要反反復復的做，以達到要求。
5、等離子沖洗 (用較弱的等離子束轟擊整個芯片)
6、熱處理，其中又分為：
6.1 快速熱退火 (就是瞬間把整個片子通過大功率燈啥的照到1200攝氏度以上, 然后慢慢地冷卻下來, 為了使得注入的離子能更好的被啟動以及熱氧化)
6.2 退火
6.3 熱氧化 (制造出二氧化硅, 也即場效應管的柵極(gate) )
7、化學氣相淀積(CVD)，進一步精細處理表面的各種物質
8、物理氣相淀積 (PVD)，類似，而且可以給敏感部件加coating
9、分子束外延 (MBE) 如果需要長單晶的話就需要。
10、電鍍處理
11、化學/機械表面處理
12、晶圓測試
13、晶圓打磨就可以出廠封裝了。