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详细说明
PECVD等離子體化學氣相沉積設備
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用途：設備可在①4-8英寸片狀或類似形狀樣品表面沉積 SiOx、SiNx、非晶硅、微晶硅、納米硅、SiC、類金剛石等多 種薄膜，并可沉積P型、n型薄膜。沉積的薄膜具有良好的均 勻性、致密性、黏附性、絕緣性。適用于科研院所、大專院校、 生產企業的科學研究、教學。
系統安全：通過軟、硬件相互配合的傳感技術、互鎖技術、 超時控制、智能監控、在線狀態記憶、斷點保護、安全日志、 操作日志等設計，使設備的安全性、可靠性得到有效保證。不 會因操作失誤導致設備故障。
應用領域微電子、光電子、通訊、微機械、新材料、新能源等。
