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详细说明
ICP 感應(yīng)耦合等離子體刻蝕設(shè)備
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用途：本設(shè)備既有純化學(xué)刻蝕模式，也有物理化學(xué)結(jié)合模式 刻蝕，可以對亞微米以下的線條進(jìn)行干法刻蝕，以形成精細(xì)圖 形，較RIE具有更好的綜合刻蝕效果且應(yīng)用更廣泛，既可對 細(xì)線條（納米級）加工，又可進(jìn)行整體材料加工。具有選擇比高、 刻蝕速率較快、重復(fù)性好等優(yōu)點(diǎn)。
設(shè)備主要用于常規(guī)樣片（不超過①8英寸）的刻蝕，適用于 科研院所、生產(chǎn)企業(yè)的科學(xué)研究、教學(xué)。可以刻蝕的材料主要 有SiO2、Si3N4、SiC、GaN、GaAs、ITO、AZO、多晶硅、硅、 光刻膠、半導(dǎo)體材料、部分金屬等。
系統(tǒng)安全：通過軟、硬件相互配合的傳感技術(shù)、互鎖技術(shù)、 超時控制、智能監(jiān)控、在線狀態(tài)記憶、斷點(diǎn)保護(hù)、安全日志、 操作日志等設(shè)計(jì)，使設(shè)備的安全性、可靠性得到有效保證。不 會因操作失誤導(dǎo)致設(shè)備故障。
應(yīng)用領(lǐng)域:微電子、光電子、通訊、微機(jī)械、新材料、新能源等。
