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IBE全自動離子束刻蝕設備
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全自動離子束刻蝕設備
DISC-IBE-150C
DISC-IBE-200C 型
用途本產品利用低能量平行Ar+離子束對樣片表面進行轟擊， 將樣片表面未覆蓋掩膜的部分濺射出,從而達到選擇刻蝕的目 的。離子束刻蝕是純物理刻蝕過程，在各種常規刻蝕方法中分 辨率最高、陡直性最好，可以對絕大部分材料進行刻蝕，例如： 金屬、合金、氧化物、化合物、半導體、絕緣體、超導體等。 產品適用于①6英寸以下尺寸片狀或類似片狀樣品的刻蝕。 適用于科研院所、大專院校、生產企業的科學研究、教學、小 規模生產。
結構與特點：設備釆用臥式筒形腔體，前后開門結構，圓形離 子源置于后門安裝，便于清洗與維修。離子源與樣品臺呈前后 結構，最大限度降低樣品及離子源污染。樣品臺可自轉，角度 可調，水冷。腔體側面預留觀察窗，方便觀察刻蝕情況。 系統安全：通過軟、硬件相互配合的傳感技術、互鎖技術、 超時控制、智能監控、在線狀態記憶、斷點保護、安全日志、 操作日志等設計，使設備的安全性、可靠性得到有效保證。不 會因操作失誤導致設備故障。
應用領域:微電子、光電子、通訊、微機械、新材料、新能源等。
